Samsung начинает выпуск 3D NAND Flash накопителя

Компания Samsung Electronics сообщила о том, что начинает массовое производство 3D вертикальных NAND Flash чипов, которые имеют расположение ячеек памяти одна над другой вертикально в составе одного чипа.

Масштабирование накопителей является основной проблемой в производстве флэш-памяти – с ростом емкости плотность накопителя также идет вверх, что увеличивает шансы на сбои во время работы чипа.

Samsung, возможно, преодолел этот барьер (возможно только на время) по массовому производству первой 3D вертикальной памяти NAND, или V-NAND. Вместо того, чтобы ячейки памяти располагать на обычной 2D плоскости, компания переработала память соглсно Charge Trap флэш-технологии, создав 3D-клеточную структуру.

По заявлению разработчиков Samsung, новая технология в 2-10 раз надежнее и быстрее, чем прошлые аналоги. NAND Flash сделан с 25-нм технологическому процессу. Samsung утверждает, что ее новые чипы класса V-NAND могут иметь емкость до 128 Гбит в одном чипе.